壓電平移臺采用機構(gòu)放大設(shè)計原理，中間具有通孔，非常適用于近場掃描、共焦顯微等應(yīng)用。該系列掃描臺XY軸程可達500μm，Z軸直線運動行程可達800μm。中間通孔適配器為標準螺紋牙W0.8×1／36＂，便于與顯微鏡集成安裝。可匹配蔡司、尼康、奧林巴斯、徠卡等多種標準鏡頭。
壓電平移臺內(nèi)部采用有限元分析（FEA）優(yōu)化的線切割撓曲鉸鏈結(jié)構(gòu)。FEA使其設(shè)計具有盡可能高的剛度，并使線性和角度跳動小化。開環(huán)、閉環(huán)可選，真空版本可選。
納米壓印過程中壓電納米平臺及促動器可以提供穩(wěn)定的位移輸出與控制操作，精度可以達到納米級別，同時可以提供較大的出力和快速的響應(yīng)，壓電納米平臺是納米壓印技術(shù)的重要執(zhí)行元件。
納米壓印技術(shù)基本思想是通過轉(zhuǎn)移介質(zhì)將掩模板上的圖形轉(zhuǎn)移到基板上，轉(zhuǎn)移介質(zhì)多使用聚合物薄膜（如PMMA、PDMS等）。納米壓印工藝包括圖形復(fù)制和圖形轉(zhuǎn)移兩大步驟，掩模板在壓力的作用下壓進轉(zhuǎn)移介質(zhì)，經(jīng)一段時間后轉(zhuǎn)移介質(zhì)將納米腔穴充分填充，隨之釋放壓力進行固化脫模，即可在基板上形成輔助轉(zhuǎn)移圖形。
在圖形復(fù)制過程結(jié)束之后，首先需要采用各向異性刻蝕或者反應(yīng)離子刻蝕（RIE）等方法去除掉基板上的抗蝕劑殘余層，然后開始圖形轉(zhuǎn)移過程。轉(zhuǎn)移圖形可以通過刻蝕或者剝離（淀積、溶脫）方法獲得。
在刻蝕過程中，基板上抗蝕劑材料的圖形結(jié)構(gòu)被當作掩蔽層，然后采用各向異性刻蝕等方法對基板進行刻蝕，這樣就將圖形轉(zhuǎn)移到基板上。剝離由淀積和溶脫兩個步驟組成，先在抗蝕劑的表面鍍上一層金屬薄膜，然后用有機溶劑將抗蝕劑和其表面的金屬薄膜溶解掉，基板剩余的金屬薄膜形成了與掩模板上圖形一樣的微結(jié)構(gòu)，即獲得轉(zhuǎn)移圖形。
